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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

NTTFD021N08C
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 80V 6A（Ta），24A（Tc） 1.7W（Ta），26W（Tc） 表面貼裝型 12-WQFN（3.3x3.3）

封裝：12-WQFN
10起
10
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV08H350XT1
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：雙半橋汽車功率MOSFET模塊 80V 通孔 APM17-MDC

封裝：17-PowerDIP
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FTCO3V455A2
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 40V 150A 115W 通孔 模塊

封裝：MOD?19
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FTCO3V455A1
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 40V 150A 115W 通孔 模塊

封裝：APMCB-A19
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF17MR12W1M1HP

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 底座安裝 AG-EASY1B

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF1MR12KM1H

產(chǎn)品說(shuō)明：配備 CoolSiC? 溝槽 MOSFET 的 62 毫米 C 系列模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF1MR12KM1HP

產(chǎn)品說(shuō)明：62 毫米 C 系列模塊，配備 CoolSiC? 溝槽 MOSFET 和預(yù)涂熱界面材料

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4MR20KM1H

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 2000V（2kV） 280A（Tc） 底座安裝 AG-62MMHB

封裝：Module
10起
0
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4MR20KM1HP

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 2000V（2kV） 280A（Tc） 底座安裝 AG-62MMHB

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR12KM1HP

產(chǎn)品說(shuō)明：62 mm 1200 V、5.5 mΩ 半橋模塊采用 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)，采用眾所周知的 62mm 外殼

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SH32N65DM6AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 650V 32A（Tc） 208W（Tc） 表面貼裝型 9-ACEPACK SMIT

封裝：9-PowerSMD
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SH63N65DM6AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET 陣列 650V 53A (Tc) 424W (Tc) 表面貼裝

封裝：9-PowerSMD
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SH68N65DM6AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET 陣列 650V 64A (Tc) 379W (Tc) 表面貼裝

封裝：9-PowerSMD
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170HRM11NG

產(chǎn)品說(shuō)明：T 型 SiC MOSFET 功率模塊

封裝：Module
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170HRM451AG

產(chǎn)品說(shuō)明：T 型 SiC MOSFET 功率模塊

封裝：Module
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170DUM23T3AG

產(chǎn)品說(shuō)明：雙共源 SiC MOSFET 功率模塊

封裝：Module
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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