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商品名稱(chēng):IPF016N06NF2S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPF016N06NF2S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPF016N06NF2S 是 StrongIRFET? 2 60 V 單 N 溝道功率 MOSFET,采用 D2PAK 7 引腳封裝。具有 1.65 mOhm 的低 RDS(on),可滿(mǎn)足從低開(kāi)關(guān)頻率到高開(kāi)關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。
特性概述
出色的性?xún)r(jià)比
高低開(kāi)關(guān)頻率的理想選擇
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基底面通孔封裝
額定電流高
可進(jìn)行波峰焊接
優(yōu)勢(shì)
兼容多家供應(yīng)商
合適的產(chǎn)品
支持多種應(yīng)用
標(biāo)準(zhǔn)引腳布局便于直接替換
電流承載能力增強(qiáng)
易于制造
潛在應(yīng)用
電源管理(SMPS)
適配器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
電池供電應(yīng)用
電池管理
不間斷電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車(chē)級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…TLE42744DV50
OPTIREG? 線性 TLE42744DV50 是一款單片集成低壓差電壓調(diào)節(jié)器,適用于最大負(fù)載電流為 400 mA 的應(yīng)用。TLE42754G
TLE42754G 是一款采用 5 引腳 TO 封裝的單片集成低壓差穩(wěn)壓器,專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)。BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專(zhuān)為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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