商品名稱:S27KS0643GABHI020
數(shù)據(jù)手冊:S27KS0643GABHI020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S27KS0643GABHI020 64MBit 3.0 V 工業(yè) (85°C) xSPI(八位)HYPERRAM Gen 2.0,24 FBGA 封裝
產(chǎn)品描述
S27KS0643GABHI020 是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,采用 xSPI(八進制)接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當 xSPI 接口主控器(主機)不主動讀寫存儲器時,器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。
產(chǎn)品特性
- 接口
- xSPI(八進制)接口
- 支持 1.8 V / 3.0 V 接口
- 性能、功耗和封裝
- 200 MHz 最大時鐘頻率
- DDR - 在時鐘的兩個邊沿傳輸數(shù)據(jù)
- 數(shù)據(jù)吞吐量高達 400 MBps(3,200 Mbps)
- 可配置的突發(fā)特性
- 混合選項--一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
- 可配置的輸出驅(qū)動強度
- 電源模式
- 混合睡眠模式
- 深度掉電
- 封裝:24 球 FBGA
- 工作溫度范圍
- 工業(yè) (I): -40°C至+85°C
- 工業(yè)增強型 (V): -40°C至+105°C
- 汽車,AEC-Q100 3 級:-40°C 至 +85°C
- 汽車,AEC-Q100 2 級:-40°C 至 +105°C
- 技術(shù):38 納米 DRAM
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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S25HS02GTFABHV153 是屬于 HS-T 系列中的一款 SEMPER? NOR 閃存器件。它具有 2 Gbit 的高密度和帶寬為 102 MByte/s 的 Quad SPI 接口。該裝置在 1.8V 的電壓下工作,接口頻率為 166 MHz。 主要具備以下參數(shù):存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NOR(SLC)…S25HS512TFABHV013
S25HS512TFABHV013 是 Infineon公司 SEMPER? NOR 閃存系列中的一款512Mbit存儲器。該芯片采用 45-nm MIRRORBIT?技術(shù) ,支持 Quad SPI 接口,帶寬為102 MByte/s,工作電壓為1.8 V。S25HS512TFABHV013具備以下關(guān)鍵參數(shù):存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH -…S25HS512TFANHM010
S25HS512TFANHM010 是一款由 Infineon公司 推出的SEMPER? NOR閃存產(chǎn)品,具有512 Mbit的存儲密度,其采用 Quad SPI 接口,帶寬為102 MByte/s,接口頻率為166 MHz。該器件基于 45-nm Mirrorbit? 技術(shù),提供更高的數(shù)據(jù)存儲密度,適用于汽車電子和工業(yè)應用?。S25HS512TFAN…S25HS512TFANHV013
S25HS512TFANHV013 SEMPER? NOR閃存設備是一款高性能、高安全性的存儲解決方案,特別適用于汽車和工業(yè)應用。該器件具備以下規(guī)格:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NOR(SLC)存儲容量:512Mb存儲器組織:64M x 8存儲器接口:SPI - 四 I/O,QPI時鐘頻率…S25HS512TFAMHM013
Infineon 的 S25HS512TFAMHM013 是一款 SEMPER? NOR 閃存產(chǎn)品,可提供汽車行業(yè)級功能。這款 512 Mb 存儲器件采用四通道 SPI 接口和 102 MByte/s 接口帶寬設計。它的工作電壓為 1.8 V,SDR 的接口頻率為 166 MHz,DDR 的接口頻率為 102 MHz。S25HS512TFAMHM013 采用 PG-D…電話咨詢:86-755-83294757
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