商品名稱:IPDD60R125G7
數(shù)據(jù)手冊:IPDD60R125G7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-10-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPDD60R125G7功率MOSFET采用創(chuàng)新型無引線SMD TO (TOLL) 封裝(采用開爾文源極概念)。G7 MOSFET將經(jīng)過改進的600V和650V CoolMOS? G7技術(shù)、4引腳開爾文源極功能以及無引線TO封裝的更高熱性能相結(jié)合。因此,該SMD解決方案適合用于大電流硬開關(guān)拓撲,如高達3kW的功率因數(shù)校正 (PFC)。600V CoolMOS? G7 MOSFET可用于高端LLC等諧振電路。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):125 毫歐 @ 6.4A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 320μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):27 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1080 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):120W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-10-1
封裝/外殼:10-PowerSOP 模塊
應(yīng)用
● 電信
● 服務(wù)器
● 太陽能
● 工業(yè)SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號:IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
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IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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