商品名稱:IPLK80R750P7
數(shù)據(jù)手冊:IPLK80R750P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPLK80R750P7 是 800V CoolMOS? P7 超級結(jié) MOSFET 晶體管,采用 ThinPAK 5x6 封裝。800V CoolMOS? P7 超級結(jié) MOSFET 系列完全滿足市場對性能、易用性和性價比的需求,是低功耗 SMPS 應(yīng)用的理想之選。它主要側(cè)重于反激式應(yīng)用,包括適配器和充電器、音頻 SMPS、AUX 和工業(yè)電源。
功能概述
同類最佳的 FOM RDS(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
同類最佳的 280mΩ DPAK RDS(on)
同類最佳 3V V(GS)th,最小 V(GS)th 變化為 ± 0.5V
集成齊納二極管 ESD 保護(hù),最高可達(dá) 2 級(HBM)
同類最佳的質(zhì)量和可靠性
低 EMI
廣泛的 RDS(on) 值范圍
全面優(yōu)化的產(chǎn)品組合
優(yōu)勢
與 CoolMOS? C3 相比,效率提高 0.1% 至 0.6%,MOSFET 溫度降低 2°C 至 8°C
可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度設(shè)計、節(jié)省 BOM 和降低裝配成本
易于驅(qū)動和設(shè)計
與最新的 CoolMOS? 充電器技術(shù)相比,功率密度更高
通過減少 ESD 相關(guān)故障,提高生產(chǎn)良率
減少生產(chǎn)問題和現(xiàn)場退貨
易于選擇合適的部件對設(shè)計進(jìn)行微調(diào)
潛在應(yīng)用
高密度充電器和適配器
USB-PD
音頻
工業(yè) SMPS
輔助電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號:IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
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IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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