商品名稱:FNB34060T6
數(shù)據(jù)手冊:FNB34060T6.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:27-PowerDIP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FNB34060T6是一款先進(jìn)的運(yùn)動SPM 3模塊,為交流感應(yīng)、BLDC和PMSM電機(jī)提供全功能、高性能逆變器輸出級。這些模塊集成了內(nèi)置IGBT的優(yōu)化柵極驅(qū)動,以最大限度地減少EMI和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)ON模塊保護(hù)功能,包括欠壓鎖定、過流關(guān)斷、驅(qū)動IC的熱監(jiān)控和故障報(bào)告。內(nèi)置的高速HVIC只需要單電源電壓,并將輸入的邏輯電平GATE輸入轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動信號,以正確驅(qū)動模塊的內(nèi)部IGBT。每一相都有單獨(dú)的IGBT負(fù)極端子,以支持最廣泛的控制算法。
特性
600 V-40 A三相IGBT逆變器,集成柵極驅(qū)動器和保護(hù)功能
低損耗、短路額定值IGBT
使用Al2O3 DBC基板的極低熱阻
內(nèi)置自舉二極管和專用VS引腳簡化了PCB布局
將發(fā)射極開路引腳與低端IGBT分開,用于三相電流檢測
單接地電源
內(nèi)置LVIC溫度傳感,用于溫度監(jiān)控
隔離額定值:2500 Vrms/1分鐘
應(yīng)用
? 運(yùn)動控制-家用電器/工業(yè)電機(jī)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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