商品名稱:FGH40T120SMD
數(shù)據(jù)手冊:FGH40T120SMD.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FGH40T120SMD 1200V 場截止溝槽式 IGBT 的 VCE(SAT) 值為 1.8V,低于以前的快速開關(guān) NPT IGBT,從而最大限度地降低了傳導(dǎo)損耗。1200V 場截止溝槽式 IGBT 面向太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和焊機(jī)等硬開關(guān)工業(yè)應(yīng)用。1200V 場截止溝道式 IGBT 系列可在高開關(guān)頻率下工作,并經(jīng)過 100% 的鉗位電感開關(guān)測試,其電流水平為額定電流的四倍,以確保更大的安全工作區(qū)域。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):160 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值:555 W
開關(guān)能量:2.7mJ(開),1.1mJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:370 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:40ns/475ns
測試條件:600V,40A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):65 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3
應(yīng)用
● 太陽能逆變器、電焊機(jī)、UPS 和 PFC 應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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