商品名稱:NCV7344D10R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV7344D10R2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCV7344D10R2G CAN 收發(fā)器是控制器區(qū)域網(wǎng)絡協(xié)議控制器與物理總線之間的接口。收發(fā)器為總線提供差分發(fā)送能力,為 CAN 控制器提供差分接收能力。
功能特點
與 ISO 11898-2:2016 兼容
環(huán)路延遲對稱規(guī)范,最高可達 5 Mbps
NCV7344-3 版本上的 VIO 引腳允許與 3 V 至 5 V 微控制器直接對接
通過總線喚醒的超低電流待機模式
低電磁輻射 (EME) 和高電磁抗擾度
極低的電磁輻射(EME),無需共模(CM)扼流圈
未供電節(jié)點不會干擾總線線路
傳輸數(shù)據(jù) (TxD) 主導超時功能
在所有電源條件下,芯片都能正常工作
總線引腳具有極高的靜電放電魯棒性,>8 kV 系統(tǒng)靜電放電脈沖
熱保護
總線引腳對電源電壓和接地的短路保護
總線引腳在汽車環(huán)境中的瞬態(tài)保護
這些都是無鉛器件
應用
汽車
工業(yè)網(wǎng)絡
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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