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STL57N65M5 是一款基于MDMESH?M5創(chuàng)新垂直工藝技術的N溝道功率MOSFET，結合了著名的PowerMesh?水平布局。該產(chǎn)品具有極低的導通電阻，特別適合需要高功率和高效率的應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.3A（Ta），22.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：69 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4200 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），189W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerFlat?（8x8）HV

封裝/外殼：8-PowerVDFN

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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