商品名稱:STL28N60DM2
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STL28N60DM2 600V、21A N溝道功率MOSFET是MDMESH?DM2快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有極低的恢復(fù)電荷(Qrr)和恢復(fù)時(shí)間(trr)以及低RDS(on),適用于要求最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器,是橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和ZVS相移轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):175 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):140W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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STM32G473CCT3
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