STM32G491KCU3 - 具 256KB 閃存、數(shù)學(xué)加速器和高模擬級集成度的主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz
產(chǎn)品描述
STM32G491KCU3 基于高性能的 Arm? Cortex?-M4 32 位 RISC 內(nèi)核。它們的工作頻率高達 170 MHz。Cortex-M4 內(nèi)核具有單精度浮點運算單元 (FPU),支持所有 Arm 單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有數(shù)據(jù)類型。它還實現(xiàn)了全套 DSP(數(shù)字信號處理)指令和內(nèi)存保護單元 (MPU),從而提高了應(yīng)用程序的安全性。
產(chǎn)品特性
工作條件
VDD 和 VDDA 電壓范圍 1.71 V 至 3.6 V
數(shù)學(xué)硬件加速器
用于三角函數(shù)加速的 CORDIC
FMAC:濾波數(shù)學(xué)加速器
512 Kbytes 閃存,支持 ECC、專有代碼讀出保護 (PCROP)、可保護內(nèi)存區(qū)域、1 Kbyte OTP
96 千字節(jié) SRAM,前 32 千字節(jié)采用硬件奇偶校驗
例程增強器: 指令和數(shù)據(jù)總線上的 16 千字節(jié) SRAM,帶硬件奇偶校驗(CCM SRAM)
四 SPI 存儲器接口
復(fù)位和電源管理
上電/掉電復(fù)位(POR/PDR/BOR)
可編程電壓檢測器 (PVD)
低功耗模式:睡眠、停止、待機和關(guān)機
為 RTC 和備份寄存器提供 VBAT 電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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意法半導(dǎo)體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅(qū)動器,采用簡潔卻堅固的設(shè)計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅(qū)動控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點和主要規(guī)格如下:特點包含用于柵極驅(qū)動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景,如工業(yè)控制、電機驅(qū)動、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…電話咨詢:86-755-83294757
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