商品名稱:GHXS060A120S-D3
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:SOT-227
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
GHXS060A120S-D3是一款1200V 、60A SiC肖特基二極管模塊(雙二極管組件),應(yīng)用包括DC電源設(shè)備、感應(yīng)加熱器、焊接設(shè)備和充電站。
SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過(guò)最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應(yīng)來(lái)提高性能。SiC肖特基二極管模塊設(shè)計(jì)用于低損耗和EMI噪聲,具有低結(jié)殼熱阻。
優(yōu)勢(shì)
高頻工作時(shí)的出色性能
低損耗和低EMI噪聲
非常堅(jiān)固且易于安裝
直接安裝到散熱器上(隔離封裝)
低結(jié)至外殼熱阻
由于VF的正溫度系數(shù),易于并聯(lián)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
SOT-227-4
1000
二極管模塊 2 個(gè)獨(dú)立式 700 V 100A(DC) 底座安裝 SOT-227-4,miniBLOC
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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SemiQ 設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識(shí),其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場(chǎng):電動(dòng)汽車充電器和充電站、功率…
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR是一款由Samtec公司生產(chǎn)的高密度陣列板對(duì)板連接器,屬于SEARAY? SEAF插座系列。該連接器采用1.27mm間距網(wǎng)格和耐用型Edge Rate端子系統(tǒng),具有高達(dá)56Gbps的性能。此外,SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR連接器符合IPC-A-610F和IPC J-STD-001F標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范…GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊,提升能源標(biāo)準(zhǔn)。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動(dòng)汽車、醫(yī)療電源和太陽(yáng)能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):113…GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開(kāi)關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅(jiān)固和易于安裝的特點(diǎn)。該模塊在175C結(jié)溫下工作,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功…GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。器件:GCMX010A120B3B1P類型:SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個(gè)配置有2 個(gè) N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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