商品名稱:時(shí)鐘緩沖器
品牌:ON
年份:24+
封裝:TSSOP-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NB3U1548CDTR2G是一款 LVCMOS、耐過壓時(shí)鐘扇出緩沖器,適用于高性能電信、網(wǎng)絡(luò)和計(jì)算應(yīng)用中的時(shí)鐘發(fā)生。該器件針對低電壓應(yīng)用中的低偏斜時(shí)鐘分配進(jìn)行了優(yōu)化。輸入過壓容限使該器件可用于混合模式電壓應(yīng)用。輸出使能引腳可控制輸出是處于有效狀態(tài)還是高阻抗?fàn)顟B(tài)。NB3U1548CDTR2G具有保證輸出偏移的特性,因此非常適合要求明確性能和可重復(fù)性的應(yīng)用。
產(chǎn)品種類: 時(shí)鐘緩沖器
輸出端數(shù)量: 4 Output
最大輸出頻率: 160 MHz
傳播延遲—最大值: 3.5 ns
輸出類型: LVCMOS
封裝 / 箱體: TSSOP-8
輸入類型: LVCMOS
電源電壓-最小: 1.4 V
電源電壓-最大: 3.465 V
系列: NB3U1548C
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
占空比 - 最大: 53 %
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
產(chǎn)品: Fanout Buffers
產(chǎn)品類型: Clock Buffers
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Clock & Timer ICs
類型: Fanout Buffer
應(yīng)用
時(shí)鐘分配
網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)通信
高端計(jì)算
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Skyworks
QFN-44
3000
任意格式時(shí)鐘緩沖器 - 通用 2 : 10 低抖動(dòng)時(shí)鐘緩沖器/電平轉(zhuǎn)換器,QFN-44
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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