商品名稱:SCTWA60N120G2-4
數(shù)據(jù)手冊:SCTWA60N120G2-4.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HIP247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCTWA60N120G2-4 1200V 碳化硅功率MOSFET將寬禁帶材料的先進性和可靠性引入到更廣泛的節(jié)能應(yīng)用中,如用于電動/混合動力汽車、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高效驅(qū)動器、電源和智能電網(wǎng)設(shè)備的逆變器。該功率MOSFET采用HiP247-4封裝,具有52m?(典型值)和60A(額定值)特性。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):60A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):52 毫歐 @ 30A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):94 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1969 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):388W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4
封裝/外殼:TO-247-4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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