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ADRF5515BCPZN是一款雙通道、集成RF、前端、多芯片模塊，設計用于時分雙工(TDD)應用。該設備的工作頻率為3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515BCPZN 采用雙通道配置，具有級聯、兩級、LNA和大功率硅SPDT開關。

該器件采用符合RoHS標準的緊湊型6 mm ×6 mm 40引腳LFCSP封裝。

優(yōu)勢和特點

集成式雙通道 RF 前端

2 級 LNA 和高功率硅 SPDT 開關

片內偏置和匹配

單電源供電

增益

高增益模式：3.6 GHz 時為 33 dB（典型值）

低增益模式：3.6 GHz 時為 16 dB（典型值）

低噪聲指數

高增益模式：3.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）

低增益模式：3.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）

高隔離

RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）

TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）

低插入損耗：3.6 GHz 時為 0.45 dB（典型值）

TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力

整個生命周期

LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm

高 OIP3（高增益模式）：32 dBm（典型值）

關斷模式和低增益模式（針對 LNA）

低電源電流

高增益模式：5 V 時為 86 mA（典型值）

低增益模式：5 V 時為 36 mA（典型值）

關斷模式：5 V 時為 12 mA（典型值）

正邏輯控制

6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝

與 ADRF5545A 10 W 版本引腳兼容

應用

無線基礎設施

TDD大規(guī)模多路輸入和多路輸出和有源天線系統(tǒng)

基于TDD的通信系統(tǒng)

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