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FF1MR12MM1H器件是一款1200 V CoolSiC? MOSFET半橋模塊，采用62mm封裝，并結合M1H芯片技術，提供預涂熱界面材料（TIM）版本??。

應用領域

儲能系統(tǒng)

電動汽車快速充電

汽車暖通空調控制模塊

商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

通用電機驅動-變頻變壓

技術規(guī)格

產(chǎn)品：FF1MR12MM1H

通道數(shù)量：2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：420 A

Rds On-漏源導通電阻：1.91 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.15 V

最小工作溫度：- 40 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：20 mW

系列：EconoDUAL 3

配置：Dual

下降時間：77 ns

高度：20.5 mm

長度：152 mm

產(chǎn)品類型：MOSFET Modules

上升時間：261 ns

典型關閉延遲時間：319 ns

典型接通延遲時間：182 ns

Vf - 正向電壓：4.14 V

寬度：62.5 mm

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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