商品名稱:磁性傳感器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-SSO-2
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
TLE4955C-E4:XENSIV? 磁性速度傳感器基于霍爾技術(shù),具有出色的氣隙性能
型號(hào):TLE4955C-E4
封裝:PG-SSO-2
類型:磁性速度傳感器
TLE4955C-E4 是一款集成差分霍爾效應(yīng)傳感器,適用于具有兩線制PWM輸出電流接口的傳輸應(yīng)用。其基本功能是向變速器控制單元提供有關(guān)轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)方向的信息。TLE4955C-E4包含一種復(fù)雜的算法,可在保持良好氣隙性能的同時(shí)主動(dòng)抑制振動(dòng)。
TLE4955C-E4 產(chǎn)品特征:
磁靈敏度高
運(yùn)行時(shí),氣隙大
兩線制PWM電流接口
快速啟動(dòng)
動(dòng)態(tài)自校準(zhǔn)原理
自適應(yīng)滯后
旋轉(zhuǎn)方向的檢測(cè)
振動(dòng)抑制能力強(qiáng)
從零加速到12 kHz
寬的工作溫度范圍
壓電電阻效應(yīng)強(qiáng)
單芯片解決方案
磁編碼器和鐵磁輪應(yīng)用
可進(jìn)行磁鐵南北極預(yù)感應(yīng)
模塊式封裝,帶有集成的包膠電容器
V DD和GND之間為1.8 nF
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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