IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。
技術(shù)參數(shù)
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):45 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
功率 - 最大值:141 W
開關(guān)能量:900μJ(導(dǎo)通),680μJ(關(guān)斷)
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:97 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/156ns
測試條件:600V,15A,10 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3
應(yīng)用場景
IGB15N120S7適用于需要高電壓、低導(dǎo)通損耗的工業(yè)電機驅(qū)動和控制應(yīng)用。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
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