商品名稱:STM32H723VGH6
數(shù)據(jù)手冊:STM32H723VGH6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:100-TFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5241 件
STM32H723VGH6微控制器IC STM32H723 高性能,32位單核TFBGA100
產(chǎn)品介紹
STM32H723VGH6器件集成了高速嵌入式存儲器,具有高達(dá)1 Mbyte的閃存和高達(dá)564 KB的RAM,以及連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連的大量增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:ARM? Cortex?-M7
核心尺寸:32位單核
速度:550MHz
連接性:CANbus、以太網(wǎng)、I2C、IrDA、LINbus、SAI、智能卡、SPDIF、SPI、UART/USART、USB OTG
外設(shè):欠壓檢測/復(fù)位、DMA、LCD、POR、PWM、WDT
I/O數(shù)量:80
程序存儲器大?。?MB (1M x 8)
程序存儲器類型:FLASH
RAM大小:564K x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.62V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 17x12b, 26x16b; D/A 2x12b
振蕩器類型:外部,內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
功能特點(diǎn)
專用的USB電源
嵌入式LDO穩(wěn)壓器
8個通道/4個濾波器
用于西格瑪-德爾塔調(diào)制器(DFSDM)的數(shù)字濾波器
高達(dá)1M字節(jié)的嵌入式閃存,帶有ECC功能
支持高達(dá)XGA分辨率的LCD-TFT控制器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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