商品名稱:A1P25S12M3-F
數(shù)據(jù)手冊:A1P25S12M3-F.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
A1P25S12M3-F采用六組拓撲結(jié)構(gòu),采用帶 NTC 的 ACEPACK? 1 封裝、集成了意法半導體先進的溝槽柵極場截止技術(shù)。這種新型 IGBT 技術(shù)在傳導損耗和開關(guān)損耗之間實現(xiàn)了最佳折衷,最大限度地降低了開關(guān)損耗。導通損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,最大限度地提高了任何轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的效率,最高可達 20 kHz。A1P25S12M3-F采用DBC 銅 Al2O3 銅,六組拓撲結(jié)構(gòu),1200 V、25 A IGBT 和二極管,軟快速恢復二極管,集成 NTC。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:三相反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):25 A
功率 - 最大值:197 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,25A
電流 - 集電極截止(最大值):100 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:ACEPACK? 1
應用
? 變頻器
? 工業(yè)
? 電機驅(qū)動
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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