深圳明佳達電子公司出售碳化硅 CoolSiC? MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V溝槽型，只做原裝，大量工廠庫存，價格可詳談，歡迎聯(lián)系陳先生qq1668527835，電話13410018555！該器件型號是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 90 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進的溝槽工…
深圳明佳達電子公司出售碳化硅 CoolSiC? MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V溝槽型，只做原裝，大量工廠庫存，價格可詳談，歡迎聯(lián)系陳先生qq1668527835，電話13410018555！該器件型號是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 90 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。
產(chǎn)品型號：IMBG120R090M1H
批號：21+
描述：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
規(guī)格參數(shù)
FET 類型 N 通道
技術(shù) SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss） 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 26A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 125 毫歐 @ 8.5A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +18V，-15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 763 pF @ 800 V
FET 功能 標準
功率耗散（最大值） 136W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-7-12
封裝/外殼 TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
基本產(chǎn)品編號 IMBG120
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
電動汽車快速充電
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
公司還回收此款英飛凌碳化硅 CoolSiC? MOSFETs IMBG120R090M1H，只需原裝正品，散新翻新均不考慮，有原廠外包裝則優(yōu)先，如有大量庫存要處理請聯(lián)系！
服務(wù)特點：
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